友達面板型號的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到附近那裡買和營業時間的推薦產品

製程不良品面板液晶回收再利用可行性研究

為了解決友達面板型號的問題，作者陳雅苓 這樣論述：

目前廢液晶面板最終仍以掩埋或物理方式處理，各國專家陸續進行技術面與制度面的探討，改以再利用模式取代高污染性的掩埋，朝著永續發展方向邁進；本研究針對液晶面板製造業者產出的不良品面板，進行萃取純化後液晶再利用可行性研究。再利用以TN型、VA型、PSVA型三種不同驅動模式液晶進行實驗；不良品面板樣品收集分類，以製程條件、液晶材料、液晶材料-微混等三種條件做為實驗變因，用連續式萃取循環系統取出液晶，各實驗條件液晶分別以物化性、污染性、組成變異等項目進行檢測；再依不同液晶型號，分別重新製成不同產品的液晶面板。本研究結果可知，各實驗條件與對照組的物化性、光學性能、可靠度測試，其結果顯示，均與原材料水準相

當，甚至優於原材料。經合適處理後，能夠透過回收再利用，重新製成液晶面板，降低液晶對環境造成的傷害與威脅，建立資源循環零廢棄的概念，以達到環保與經濟的雙重效果，創造綠色化生產新思維。

彩色濾光片之ITO透明導電薄膜的電阻率改善

為了解決友達面板型號的問題，作者林炯良 這樣論述：

銦錫氧化物(ITO)是一種透明導電氧化物，它具有很高的可見光、穿透率同時又擁有實用的導電率。本研究以ITO作為研究主題，ITO真空濺鍍是使用直流磁控濺鍍機進行實驗，直流磁控濺鍍技術可以大面積生產且品質可靠度高，總製造成本相對低廉，而直流濺鍍技術已被廣泛運用在常溫下產出高品質的ITO薄膜。 本論文主要研究主題為:透明導電薄膜(ITO)電阻率改善，在薄膜電晶體液晶顯示器的電路設計及彩色濾光片畫素排列越來越窄趨勢，導致三原色畫素(紅、綠、藍)，會緊密排列甚至重疊在一起，目前產品設計一般的TN品與廣視角AHVA品，兩者皆用於桌上型電腦顯示螢幕與筆記型電腦產品中，TN產品的BM線幅約在2

5m左右，而在高PPI的產品BM線幅到15m左右，另一種AHVA產品設計，BM線幅則設計在7~8m此時AHVA品因BM線幅窄小，加上微影曝光製程如果在曝光機位置稍微精度偏差時畫素就有可能會重疊在一起，當畫素重疊在一起時，在電阻率表現會有超出規格50 Ω·cm的異常情況產生，當我們將電阻率異常的基板，位置MARK起來，使用光學顯微鏡(OM)觀察微觀下成像，之後在進行掃描式電子顯微鏡(SEM)，則會發現ITO薄膜有Crack情況發生。 本研究內容利用田口方法進行製程實驗，提出可能改善Crack的組合參數，找出解決ITO透明導電層電阻率異常的方法。而在薄膜製程方式有許多種，薄膜微結構在複

雜沉積過程中，大多會與基板介面處產生殘留應力，應力過大時容易造成基板彎曲變形而導致薄膜破裂損壞。 在實驗過程中，我們先比較了A與B兩種不同型號的真空Sputter，取出其差異性，利用田口方法進行製程實驗，其結果想得出改善ITO電阻率的關鍵因子及ITO Crack造成的原因。在進行田口實驗後結果得出在Sputter參數中的，搬送速度(Speed)與功率(Power)，相互搭配下，可以有效降低電阻率，從改善前的電阻率80~90 Ω·cm，最後實驗出最佳的電阻率43.8 Ω·cm。 另外在Sputter後及Oven(退火)後電阻率現象關係實驗中，發現到在A型號Sputter實驗設備中，I

TO Sputter後實際量測電阻率無法測得(超過100 Ω·cm)，而在B型號Sputter後實際測量電阻率約70~80 Ω·cm，再將這A與B型號Sputter基板分別放置到A型號的OVEN(退火)，其結果發現A型號原本Sputter後超過100 Ω·cm下降到80~90 Ω·cm，而在B型號原本Sputter後約70~80 Ω·cm下降到40 Ω·cm左右。 這樣的結果與理論一樣，在Oven(退火)後確實會將電阻率降低，但因為在A型號Sputter ITO膜質狀況不佳，會將ITO膜烘烤到Crack的情況而造成電阻率異常，而在B型號Sputter在薄膜成膜前有Heater裝置將基板加

熱，使得沉積在基板的原子擴散能力增加，而形成緊密堆積之均勻直徑柱狀組織，可藉由提升吸附粒子在表面移動率。便能形成更均勻的薄膜，在ITO製程中，熱(Heater)除了可以降低水氣之外還可以增加表面移動率，使成核數量增加，ITO薄膜是由ITO粒子成核之後再互相反應結合成長為晶粒，當基板本身溫度如果不足，晶粒就不容易反應成長。如果將玻璃基板加熱至150℃以上時，可以使沈積膜與基板間形成良好的鍵結成長而不容易剝落，因此若能利用成膜前增設的加熱(Heater)裝置將基板預烤加熱，即可濺鍍出較均勻、結構更穩定的ITO膜，降低ITO Crack的發生，便可得到較佳的電阻率。