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臺灣三種長尾蛛（Araneae: Macrothelidae） 毒腺的比較轉錄組分析

為了解決國家圖書館學位論文延後公開申請書的問題，作者李名媛 這樣論述：

蜘蛛毒液因其蛋白毒素具有豐富的多樣性，是有前景的藥物研究來源。我們採集了三種臺灣的毒蜘蛛（Macrothele taiwanensis、Macrothele gigas、Macrothele holsti），對這些物種的毒腺轉錄組進行次世代RNA定序，然後從頭組裝生成組裝體，分別包含 131,169 個重疊群、196,004 個重疊群、130,758 個重疊群、177,301 個重疊群、142,939 個重疊群、163,947 個重疊群、119,492 個重疊群和 117,391 個重疊群。各個組裝體註釋到毒液蛋白的比例為 0.37% 到 0.51%。文氏圖顯示有 109 個毒蛋白都存在於三

個 Macrothele 物種，可分類為 2 個神經毒素、一個皮膚壞死毒素、25 個止血損傷毒素、二個離子通道損傷毒素、六個過敏原、六個補體系統損傷毒素和 47 個未分類。在差異表達結果中，我們發現很少有毒液蛋白有差異表達。在 M. gigas 與 M. holsti 比較組，我們發現 venom phosphodiesterase 在 M. holsti 中的表達量相對較高，而 scoloptoxin SSD14 在 M. gigas 中的表達相對較高。這兩種蛋白質都與血小板聚集有關。在 M. gigas與 M. taiwanensis 比較組，我們發現只有 hemolin 在 M. gig

as 中表達量相對較高。然而在 M. holsti 與 M. taiwanensis 比較組，所有差異表達的蛋白質都與毒液無關。再加上文氏圖顯示 M. holsti 和 M. taiwanensis 共享最多相同的毒蛋白，這表明 M. holsti 和 M. taiwanensis 具有相似的毒液表達模式。總結來說，與其他兩個物種相比，M. gigas 對血液凝固的積極作用更強。這項研究指出三種 Macrothele 物種之間毒液的主要差異。M. taiwanensis、M. gigas 和 M. holsti 的毒腺轉錄組定序數據可用於進一步的組織特異性研究。

氮化鎵高電子遷移率電晶體之模型建立與K-band微波開關之實現

為了解決國家圖書館學位論文延後公開申請書的問題，作者賴映儒 這樣論述：

國家圖書館學位論文延後公開申請書指導教授推薦書口試委員會審定書誌謝.....iii摘要.....ivAbstract.....v目錄.....vi圖目錄.....ix表目錄.....xii第一章 緒論.....1§1.1 前言.....1§1.2 研究動機.....2第二章 應用於K頻帶氮化鎵高電子遷移率電晶體技術之微波開關.....5§2.1 簡介.....5§2.2 開關電路常見的電路架構.....72.2.1 行進波式(Traveling Wave Switch).....72.2.2 串並式(Series-Shunt Switch).....82.2.3 電容電感共振式(LC Res

onance Switch).....10§2.3 微波開關電路重要參數介紹.....12§2.4 K-band TX/RX GaN HEMTs微波開關設計.....132.4.1 K頻帶微波開關電路架構與設計.....132.4.2 K頻帶微波開關電路模擬結果.....142.4.3 K頻帶微波開關電路量測環境.....152.4.4 K頻帶微波開關電路量測結果.....17§2.5 結果與討論.....21第三章 碳化矽基板結構之空乏型氮化鎵高電子遷移率電晶體大訊號模型建立.....22§3.1 簡介.....22§3.2 大訊號常見模型及其差異.....233.2.1 EEHEMT mo

del.....243.2.2 Angelov model.....253.2.3 EEHEMT model 及Angelov model模型之比較及差異.....26§3.3 Angelov-GaN model模型建立流程.....27§3.4 GaN on SiC元件結構與模型建立.....293.4.1 元件結構.....293.4.2 蕭特基閘極(Schottky gate).....293.4.3 汲極電流(Drain current).....303.4.4 電容模型(Capacitance model).....343.4.5 S參數(S-paremeter).....37§3.

5 結果與討論.....39第四章 矽基板結構之空乏型氮化鎵高電子遷移率電晶體大訊號模型建立.....40§4.1 簡介.....40§4.2 GaN on Si元件結構.....40§4.3 蕭特基閘極(Schottky gate.....41§4.4 汲極電流(Drain current).....41§4.5 電容模型(Capacitance model).....44§4.6 S參數(S-parameter).....46§4.7 總參數資料表.....48§4.8 結果與討論.....49第五章 結論.....50參考文獻.....51圖目錄圖1-1 無線收發模組示意圖.....2圖

1-2 各模型的優缺點.....3圖2-1 無線收發模組簡圖.....6圖2-2行進波式開關架構.....7圖2-3行進波式開關架構等效電路(a)導通狀態(b)關閉狀態.....8圖2-4 串並式開關架構.....9圖2-5 串並式開關架構等效電路(a)導通狀態(b)關閉狀態.....9圖2-6 電容電感共振式開關架構.....10圖2-7 電容電感共振式開關架構等效電路(a)導通狀態(b)關閉狀態.....11圖2-8 K頻段微波開關架構圖.....14圖2-9 K頻段微波開關晶片照相圖.....15圖2-10 S-parameter量測環境示意圖.....16圖2-11 大訊號量測環境示意

圖.....16圖2-12 插入損耗、輸出入反射損耗及隔離度模擬與量測圖.....17圖2-13 插入損耗變溫量測圖.....18圖2-14 隔離度變溫量測圖.....18圖2-15 輸入反射損耗變溫量測圖.....19圖2-16 輸出反射損耗變溫量測圖.....19圖2-17 主要3個頻率之功率承載能力量測圖.....20圖3-1 典型模型建立流程.....23圖3-2 EEHEMT大訊號等效電路圖.....25圖3-3 Angelov model大訊號等效電路圖.....26圖3-4 Angelov-GaN model模型建立流程圖.....27圖3-5 Angelov-GaN model

元件參數.....28圖3-6 GaN on SiC d-mode HENT元件剖面圖.....29圖3-7 閘極順向電流IGS-VGS模型與量測特性曲線.....30圖3-8 IDS-VGS模型與量測特性曲線.....31圖3-9 [Log] IDS-VGS模型與量測特性曲線.....32圖3-10 gm-VGS模型與量測特性曲線.....32圖3-11 IDS-VDS模型與量測特性曲線.....33圖3-12 gd-VDS模型與量測特性曲線.....33圖3-13 CGS-VGS模型與量測特性曲線.....35圖3-14 CGD-VGS模型與量測特性曲線.....35圖3-15 CDS-V

GS模型與量測特性曲線.....36圖3-16 S11及S22模型與量測史密斯圖.....37圖3-17 Mag(S21) / 2及S12模型與量測史密斯圖.....37圖4-1 GaN on Si d-mode HENT元件剖面圖.....40圖4-2 閘極順向電流IGS-VGS模型與量測特性曲線.....41圖4-3 IDS-VGS模型與量測特性曲線.....42圖4-4 [Log] IDS-VGS模型與量測特性曲線.....42圖4-5 gm-VGS模型與量測特性曲線.....43圖4-6 IDS-VDS模型與量測特性曲線.....43圖4-7 gd-VDS模型與量測特性曲線.....4

4圖4-8 CGS-VGS模型與量測特性曲線.....45圖4-9 CGD-VGS模型與量測特性曲線.....45圖4-10 CDS-VGS模型與量測特性曲線.....46圖4-11 S11及S22模型與量測史密斯圖.....46圖4-12 Mag(S21) / 6及S12模型與量測史密斯圖.....47圖4-13 GaN HEMT大訊模型等效電路結構立體圖.....49表目錄表2-1 常用開關電路規格.....6表2-2 模擬結果與量測數據比較表.....20表2-3 參考文獻比較表.....21表3-1 EEHEMT model及Angelov model兩者差異.....26表3-2 不

同模型之參數數量.....27表3-3 GaN on SiC Angelov-GaN Model參數資料.....38表4-1 GaN on Si Angelov-GaN Model參數資料.....48