穩懋台積電差別的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到附近那裡買和營業時間的推薦產品

氮化鎵之單端輸出振盪器及CMOS注入鎖定除二除頻器之研究

為了解決穩懋台積電差別的問題，作者張永翰 這樣論述：

在RF射頻收發機中，PLL的特性非常重要，PLL內部包含了相位偵測器(PFD)、充電幫浦(CP)、迴路濾波器(LF)、壓控振盪器(VCO)、除頻器(FD)，而為了追求低功耗，低相位雜訊，與較寬的除頻範圍，在這其中又以壓控振盪器和注入鎖定除頻器特性最重要，而本論文主要研製鎖相迴路之注入鎖定除頻器與壓控振盪器。首先，第一部分我們呈現一個迴授振盪器，由穩懋GaN0.25μm製程實現，本次振盪器包含了HEMT amplifier跟LC feedback，在工作偏壓1.8V，電流為10.18mA，總功率消耗為18.33mW，在頻率7.26GHz的相位雜訊為-122.48dBc/Hz，總晶片面積為2*1

mm2，FOM為-187.0 dBc/Hz接著，第二部份我們呈現一個作用在X頻帶的迴授振盪器，由穩懋GaN0.25μm實現，本次振盪器包含了HEMT amplifier跟LC feedback，本次使用的電感為一個並接的電感，並接的電感與傳統的電感差別在於Q值與感值在高頻的時候都比傳統的電感來的好，本電路的工作偏壓為2V，電流為10.8mA，總功率消耗為21.6mW，在頻率8.82GHz的相位雜訊為-124.95dBc/Hz，總晶片面積為2*1mm2，FOM為-189.56 dBc/Hz。第三部份我們呈現一個寬頻除二注入鎖定除頻器，使用台積電0.18 μm製程來實現，此除頻器使用中央抽頭式電感

與寄生電容產生負阻抗，並採用單端注入訊號來實現。在Vdd的調整下，高注入功耗下會有四個頻帶產生，形成一個較寬除頻範圍。在驅動偏壓為0.65 V、注入功率為0 dbm時，注入鎖定頻率為3.21 ~ 10 GHz，鎖住範圍共6.79 GHz，百分比為102.8 %。此晶片面積為0.55 × 1.027 mm2，除頻器的核心功耗共3.263 mW。最後我們呈現一個寬頻除二注入鎖定除頻器，使用台積電0.18 μm製程來實現，此除頻器在注入功耗為0 dBm時會有雙頻帶，在Vbias 等於0.75V注入功率為0 dbm時，中心頻率為7.94GHz，注入鎖定頻率為2.2 ~ 10.14 GHz，鎖住範圍共7

.94 GHz，百分比為128..68 %。此晶片面積為0.785 × 0.883 mm2，除頻器的核心功耗共4.57 mW。

2.4/5.8GHz利用被動混頻器設計低雜訊低功率接收機和HEMT 低雜訊放大器

為了解決穩懋台積電差別的問題，作者林忠佑 這樣論述：

本篇論文針對現今網路通訊的應用，利用台積電 CMOS 0.18μm的製程，以及穩懋提供的HEMT 製程上所設計的射頻電路。而本論文可分為兩章節。第一章節主要是針對直接降頻接收機整體做兩種不一樣的設計；第二章節則利用HEMT 的製程特性設計出不同架構不同製程的低雜訊放大器來做比器。論文一開始會針對現今較為常見的接收機架構做分析，並介紹被動混頻器在顫抖雜訊上的表現。實做出利用TSMC CMOS 0.18μm 製程設計一被動混頻器搭配不一樣的LNA 的接收機。第一種是搭配變壓器匹配的低雜訊放大器而第二種利用電流重覆利用的技巧的差動放大器的接收機。論文的第二部份則先介紹HEMT的特性，和如何利用其電

氣特性設計自偏壓的電流源。並利用這兩種製程和單壓操作的技巧設計出兩種不一樣的架構的低雜訊放大器。