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Yoga Nidra Lullaby

為了解決Her ig的問題，作者Deshpande, Rina 這樣論述：

RINA DESHPANDE is an educator, author, and artist. After teaching in NYC public schools, she was a founding Assistant Professor of Practice with Relay Graduate School of Education in 2010. Raised with yoga as an Indian American, Deshpande completed her ERYT-500 yoga certification and earned a master

s in neuroscience and education at Harvard, designing yoga and mindfulness research curriculum. She currently authors and illustrates a monthly Yoga Journal magazine column on the culture and science of Yoga and is a faculty member. She’s been published in Self, The Huffington Post, Headspace, Talks

pace, Sonima.com, and Learning & the Brain. Deshpande is a lead advisor for education organizations. She loves yoga and art as much as her cat, which is a lot. Follow her at @rinathepoet on IG or rinadeshpande.com.

Her ig進入發燒排行的影片

以單步驟表面電漿誘發剝離法製備氮摻雜二硫化鉬/石墨烯奈米片之複合材料及其性質與產氫催化的應用

為了解決Her ig的問題，作者宋家維 這樣論述：

本論文使用單步驟表面電漿誘發剝離法製備二硫化鉬/石墨烯與氮摻雜二硫化鉬/石墨烯之奈米複合材料。由於二硫化鉬本身導電性質不佳、循環穩定性不足；而石墨烯材料能提供導電性作為輔助，因此首先探討二硫化鉬及石墨烯奈米片的配比研究。藉由各種配比的奈米複合材料，其表現出的表面性質、材料特性及電催化產氫能力，來找出最佳化的二硫化鉬/石墨烯奈米片複合材料。再將前者最佳配比的複合材料進行氮摻雜製程，此目的是研究氮摻雜對於二硫化鉬/石墨烯奈米片複合材料的材料性質變化，包含表面形貌、材料結構、材料晶格還有電催化產氫能力的影響。單步驟表面電漿誘發剝離法是將二硫化鉬材料塗層在石墨紙上來當作陰極，使用1M硫酸電解液，在通

以60伏特的電壓下會產生電漿，進行電化學剝離時，能同時剝落出石墨烯與二硫化鉬奈米片。製備複合材料後進行各種材料分析儀器的研究，從SEM、TEM能觀察表面形貌外觀；拉曼光譜分析石墨烯與二硫化鉬奈米片的層數、缺陷程度；使用XPS對樣品做氮元素上的材料分析；藉由XRD訊號觀察剝離前後晶格的變化。而透過LSV能量測材料作為電化學產氫催化的能力，實驗發現在二硫化鉬/石墨烯複合材料中，Gm-500的表現最佳，過電位值????10為280mV，再進行氮摻雜製程之後，Gm-500N之過電位值????10能明顯下降至240mV，具備更佳的電化學催化能力。單步驟表面電漿誘發剝離法能安全且快速地產生奈米複合材料，並

藉由異質摻雜的製程能有效進行各種產氫催化的研究。

The Man or the Monster, 2

為了解決Her ig的問題，作者Qureshi, Aamna 這樣論述：

Aamna Qureshi is a Pakistani, Muslim American who adores words. She grew up on Long Island, New York, in a very loud household, surrounded by English (for school), Urdu (for conversation), and Punjabi (for emotion). Much of her childhood was spent being grounded for reading past her bed-time, writin

g stories in the backs of her notebooks, and being scolded by teachers for passing chapters under the tables. Through her writing, she wishes to inspire a love for the beautiful country and rich culture that informed much of her identity. She attended Stony Brook University, where she received a Ba

chelors of Science in Applied Math and Statistics that taught her to solve problems, to think outside the box, and to recognize nuance, all things that come in handy when drafting a novel. When she’s not writing, she loves to travel to new places where she can explore different cultures or to Pakist

an where she can revitalize her roots. She also loves baking complicated desserts, drinking fancy teas and coffees, watching sappy rom-coms, and going for walks about the estate (her backyard). She currently lives in New York. Look for her on IG @aamna_qureshi and Twitter @aamnaqureshi_.

以結構重置方式用於 AlGaN/GaN 高電子遷移率電晶體的表現提升及熱力工程在高功率元件的應用

為了解決Her ig的問題，作者馬蘇門 這樣論述：

本篇文章分析了閘極後退火處理對於的氮化鋁鎵/氮化鋁/氮化鎵奈米通道高電子遷移率電晶體之電性的影響，其通道長度分別為 200,400,600,800 奈米且填充因子為 0.45。在 10 分鐘攝氏 400 度的閘極後退火處理後，可發現 NC-HEMT 的直流電性參數有系統性的提升。透過二次離子質譜儀分析在攝氏 200 度、 300 度、 400 度以及500 度退火下的 NC-HEMT 以找出最佳的閘極後退火條件。由結果可知當退火溫度高於400 度時，閘極金屬(鎳/金)將會擴散至 AlGaN/AlN/GaN 的主動層進而劣化元件特性。在通道長度為 200 奈米的 NC-HEMT 元件中，可觀察

到透過閘極後退火可移除因電感耦合電漿乾式蝕刻所造成的淺陷阱，因此將蕭特基位障高度由原本的 0.42 電子伏特提升至 1.40 電子伏特，進而顯著地降低閘極漏電流約 3 個數量級。此外，以氧化鋁/二氧化矽作為閘極介電層的 AlGaN/GaN HEMT 可利用陷阱輔助技術以達到類似快閃記憶體之功能。此元件展示了在相對較低的讀寫偏壓(3 伏特)下，臨界電壓向正向大幅度偏移了 4.6 伏特，因此達到-0.3 伏特的臨界電壓及 575V毫安培-毫米的最大汲極電流。在閘極介電層沉積前以紫外光/臭氧表面處理，使GaN/氧化物介面處可產生 GaOxNY 的薄層，而此層可作為陷阱輔助層，為讀寫偏壓得以降低的主要

原因。根據 C-V 測量結果，造成大幅度臨界電壓正偏移的陷阱密度高達 5.7*1012 每平方公分。這些陷阱可歸類為介面或氧化層的缺陷。由於氧化鋁與二氧化矽的介面品質良好，使得 MIS-HEMT 相較於傳統 HEMT 有更低的閘極漏電流。此類似快閃記憶體的 MIS-HEMT 元件擁有 123 毫西門子/毫米的轉移電導、 1.7*1017的開關比、 121 的次臨界擺幅以及 7.5*10-9的閘極漏電流。表面鈍化處理對於 MOS-HEMT 的電流崩塌、其他元件特性的提升與可靠度而言十分重要。本篇文章中，我們將會展示在沉積二氧化矽前，施加紫外光/臭氧表面鈍化處理在 AlGaN/AlN/GaN MO

S-HEMT 上。我們使用 X 射線光電子能譜來驗證在 GaN 表面鈍化有所提升。由於紫外光/臭氧表面處理造成二氧化矽/氮化鎵介面的能帶彎曲，進而使得 MOS-HEMT 的臨界電壓正向偏移。此外，元件的電流崩塌現象、磁滯效應以及 1/f 特性由於 HfSiOX 鈍化層而有所改善。綜合上述兩種鈍化方式，使得介面陷阱得以大幅度地減少，而使得使用二氧化矽的 MOS-HEMT 電流崩塌幅度由原來的 10%改善至 0.6%。透過上述兩種方式鈍化的 MOS-HEMT 有著 655 毫安培每毫米的最大汲極電流、 116毫西門子每毫米的轉移電導、約107的開關比、 85的次臨界擺幅以及9.1*10-10安培每

毫米的閘極漏電流。我們展示了擁有目前最佳特性值的雙浮動閘極與多重浮動閘極的 MOS-HEMT，其閘極間距分別為 0.25 微米與 0.5 微米。多重浮動閘極 MOS-HEMT 的特性值達到 1.8，其歸因於 425 伏特的崩潰電壓 0.105 毫歐姆-平方公分的 Ron,sp。我們分別以定性、定量的討論部分掘入場板結構對於多重浮動閘極 MOS-HEMT 特性有何提升。元件的電場分佈也可由 Silvaco 電場模擬的結果來驗證。排列良好、高密度的二維電子雲與高效閘極調變能力的多重浮動閘極 MOS-HEMT 展示了 597 毫安培每毫米的最大汲極電流、截止頻率為 16GHz、最大振盪頻率為 23G

Hz 與 26.7%的功率轉換效率。