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NOR gate的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦何漢,凌志寫的 新一代 技術高中電機與電子群電子學 下 學習講義含解析本 - 最新版 - 附MOSME行動學習一點通：詳解.診斷.評量 和林灶生 的 Verilog 晶片設計(第四版)(附範例光碟)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站NAND and NOR | Spinning Numbers也說明：Written by Willy McAllister. Contents. NAND gate; NOR gate; Why are there NAND and NOR gates? Concept check. The first ...
這兩本書分別來自台科大 和全華圖書所出版 。
國立陽明交通大學 電子研究所 簡昭欣、鄭兆欽所指導 鍾昀晏的 二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用 （2021），提出NOR gate關鍵因素是什麼，來自於二維材料、二硫化鉬、二硫化鎢、二維電晶體、記憶體元件、邏輯閘。
而第二篇論文國立陽明交通大學 材料科學與工程學系所 陳智、曾俊元所指導 蔡克萊的 對於可穿戴式裝置以及人工智慧應用於數位類比轉換的高效能氧化鉭憶阻器 （2021），提出因為有 可撓式突觸、可穿戴憶阻器、人工神經網絡、環境穩健、人臉識別的重點而找出了 NOR gate的解答。
最後網站The Boolean expression for NOR gate is - Vedantu則補充：Complete step by step answer: First, we will see the definition of NOR gate. The NOR gate his means that in NOR gate, only high output signal is obtained when ...
新一代 技術高中電機與電子群電子學 下 學習講義含解析本 - 最新版 - 附MOSME行動學習一點通：詳解.診斷.評量
為了解決NOR gate 的問題，作者何漢,凌志 這樣論述：
☼本書提供「電子學」科目做系統重點整理，並歸納近年來【常考題型】與【重點題型】做統整分析，務必使學生在最短時間內對各章節重點能迅速掌握。 ☼在每一個學習單元之後均佐以「例題」與「練習題」，使學生能跟著做練習，並在之後提供「立即評量單元」以確認學習進度；每章最後的「綜合練習」與「歷屆試題」演練，讓同學反覆演算練習以求精進學習，達到良好的學習效果。 MOSME 學習資源使用說明： 本書學習資源請至MOSME 行動學習一點通（www.mosme.net）搜尋本書相關字（書號、書名、作者），登入會員與書籍序號後，可線上閱讀詳解、自我練習，增強記憶力，反覆測驗提
升應考戰鬥力，即學即測即評，強化試題熟練度。 ♦ 詳解： 至MOSME 行動學習一點通（www.mosme.net）搜尋本書相關字（書號、書名、作者），登入會員與書籍序號後，即可使用解析本內容。 ♦ 診斷：可反覆線上練習書籍裡所有題目，強化題目熟練度。 ♦ 評量： 全國唯一整合性線上測驗平台plc.mosme.net，體驗多元評量方式（含模擬考、歷屆試題），了解學習狀況。
二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用
為了解決NOR gate 的問題，作者鍾昀晏 這樣論述：
半導體產業在過去半個世紀不斷地發展，塊材材料逐漸面臨電晶體微縮的物理極限，因此我們開始尋找替代方案。由於二維材料天生的原子級材料厚度與其可抑制短通道效應能力，被視為半導體產業極具未來發展性材料。此篇論文為研究二維材料二硫化鉬的N型通道元件之製作技術與其材料的特性與應用。首先，我們使用二階段硫化製程所製備的二硫化鉬沉積高介電材料並使用X-射線能譜儀（XPS）與光致發光譜（PL）進行分析，量測二硫化鉬與四種高介電材料的能帶對準，參考以往製程經驗，可結論二氧化鉿是有潛力介電層材料在二硫化鉬上，並作為我們後續元件的主要閘極介電層。接著使用二階段硫化法製作鈮（Nb）摻雜的二硫化鉬，Ｐ型的鈮摻雜可提升載
子摻雜濃度用以降低金半介面的接觸電阻，透過不同製程方式製作頂部接觸和邊緣接觸的兩種金半介面結構，傳輸線模型(TLM)分析顯示出，邊緣接觸結構比頂部接觸結構的接觸電阻率低了兩個數量級以上，並藉由數值疊代方式得知層間電阻率是導致頂部接觸結構有較高接觸電阻率主因，並指出邊緣接觸之金半介面在二維材料元件的潛在優勢。在電晶體研究上，我們使用化學氣相沉積（CVD）合成的二硫化鉬成功製作出單層Ｎ型通道元件，將此電晶體與記憶體元件相結合，用雙閘極結構將讀（read）與寫（write）分成上下兩個獨立控制的閘極，並輸入適當脈衝訊號以改變儲存在電荷儲存層的載子量，藉由本體效應（Body effect）獲得足夠大的
記憶區間（Memory window），可擁有高導電度比（GMAX/GMIN = 50）與低非線性度（Non-linearity= -0.8/-0.3）和非對稱性（Asymmetry = 0.5），展示出了二維材料在類神經突觸元件記憶體內運算應用上的可能性。除了與記憶體元件結合外，我們亦展示二維材料電晶體作為邏輯閘的應用，將需要至少兩個傳統矽基元件才可表現的邏輯閘特性，可於單一二維材料電晶體上展現出來，並在兩種邏輯閘（NAND/NOR）特性作切換，二維材料的可折疊特性亦具有潛力於電晶體密度提升。我們進一步使用電子束微影系統製作奈米等級短通道元件，首先使用金屬輔助化學氣相沉積 (Metal-as
sisted CVD)方式合成出高品質的二維材料二硫化鎢 (WS2)，並成功製作次臨界擺幅（Subthreshold Swing, S.S.）約為97 mV/dec.且高達106的電流開關比（ION/IOFF ratio）的40奈米通道長度二硫化鎢Ｐ型通道電晶體，其電特性與文獻上的二硫化鉬N型通道電晶體可說是相當，可作為互補式場效電晶體。另一方面，深入了解二維材料其材料特性後，可知在厚度縮薄仍可保持極高的機械強度，有潛力作為奈米片電晶體的通道材料。故於論文最後我們針對如何透過對元件製作優化提供了些許建議。
Verilog 晶片設計(第四版)(附範例光碟)
為了解決NOR gate 的問題，作者林灶生 這樣論述：
本書將IC設計實務經驗深入於範例探討，且每一範例均經過模擬驗證。除了基本的設計技巧外，亦說明多模組整合設計之技術。希望藉由此書帶領讀者進入以Verilog為主的各種相關設計領域中，熟悉Verilog語言全貌，更希望藉由它，幫助讀者完成各種晶片之設計。內容包含有：數位邏輯設計與Verilog發展沿革、Verilog設計風格與觀念、Verilog設計結構、閘層(Gate Level)描述、資料流描述設計、行為描述、函數及任務、自定邏輯電路與狀態機、Verilog程式設計技巧、電路的延遲時序設定、專題實務設計範例等，適合科大資工、電子、電機系教授「數位邏輯設計」、「數位邏輯設
計實習」之課程或相關業界人士及有興趣之讀者使用。
對於可穿戴式裝置以及人工智慧應用於數位類比轉換的高效能氧化鉭憶阻器
為了解決NOR gate 的問題，作者蔡克萊 這樣論述：
Acknowledgement I摘要 IIAbstract VTable of Contents VIIIList of Figures XIList of Tables XXChapter 1 Introduction 11.1 Background 11.2 Volatile Memory and Nonvolatile Memory 11..3 Motivation of this thesis 31.4 Organization of the thesis 5Chapter 2 Emerging technologi
es for non-volatile memory 72.1 Emerging non-volatile memory 72.1.1 Ferroelectric random access memory 82.1.2 Magnetoresistive random access memory 92.1.3 Phase change memory 102.1.4 Nano random access memory 112.1.5 Resistive random access memory 122.2 Transparent and flexible
resistive random access memory 182.3 RRAM classification based on terminals 252.3.1 Two terminal RRAM 252.3.2 Multi-terminal RRAM 262.4 RRAM for analog and digital switching 272.5 Introduction of Neuron and Synapse 282.5.1 RRAM for analog and digital switching 292.5.2 Requiremen
ts for resistive synapse devices 312.5.3 Overview of reported memristor synapse with LTP and LTD 322.6 Status and Prospects of TaOx-based memristors 342.6.1 Summary 492.7 Applications of artificial synapse 492.7.1 Biocompatible artificial synapse 492.7.1.1 Synaptic devices paving w
ay towards artificial cognitive retina 502.7.1.2 Bionic implant for heart and brain integrated with wearable electronics 542.7.2 Silicon and flexible based artificial synapse for deep neural networks 552.7.2.1 Electroencephalogram (EEG) signal recognition 552.7.2.2 Face classification
562.7.2.3 Character recognition 592.8 Emerging memory technology towards commercialization 60Chapter 3 A fast, highly flexible and transperent TaOx-based environmentally robust memristor for wearable and aerospace application 623.1 Introduction 623.2 Experimental Section 633.3 Resul
t and Discussion 64Chapter 4 Flexible Ta2O5/WO3-based memristor synapse for wearable and Neuromorphic applications 924.1 Introduction 924.2 Device fabrication 934.3 Result and Discussion 94Chapter 5 Effect of TiW barrier layer on TaOx-based flexible conductive bridge low power memrist
or synapse for future flexible applications 1065.1 Introduction 1065.2 Device fabrication 1074.3 Result and Discussion 107Chapter 6 Conclusion of the thesis 1166.1 Conclusion 1166.2 Future work 119Reference 121