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國立臺北科技大學 工業設計系創新設計碩士班 黃子坤、陳文印所指導 司治喜的 以演示輔助對話框改善智慧型手機圖示選項的識認性 （2019），提出lg 55吋推薦關鍵因素是什麼，來自於識認性、介面設計、演示輔助。
而第二篇論文長庚大學 電子工程學系 邱顯欽所指導 彭奕豪的 N型氮化鎵歐姆接觸再生長技術開發及新型基板上氮化鎵場效應電晶體之研究 （2019），提出因為有 氮化鎵、歐姆接觸、QST基板、原生氮化矽、氮化鋁鎵後位障層的重點而找出了 lg 55吋推薦的解答。
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LG GX 4K OLED TV 系列售價：HK$113,800（77 吋），HK$51,380（65 吋），$31,800（55 吋）
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Chapters
0:00 開始
0:56 LG 20 年 OLED TV 發展簡介
1:52 GX 規格升級重點
3:51 Gallery OLED 模式示範
4:14 遊戲相關強化功能簡介
5:18 GX v.s. E9 同場畫面比較
7:19 Dolby Vision IQ 效果實測
8:41 AI 聲音模式解構及實試
12:06 LG OLED TV 測試預告
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#粵語YouTuber #HiFi #LG
以演示輔助對話框改善智慧型手機圖示選項的識認性
為了解決lg 55吋推薦 的問題，作者司治喜 這樣論述：
台灣民眾智慧型手機使用比例達 93.5%，其中55歲以上民眾持有智慧型手機的佔比達83.7%。時下主流手機的尺寸介於四吋至七吋之間，在對角線七吋範圍內的顯示區域，可以同時顯示二十個或甚至更多的圖示選項及名稱文字。手機主畫面不僅有選項過負載（choice overload）的狀況，設備的限制也造成圖示選項及文字訊息尺寸小於高齡者可辨識的最小尺寸。另外，由於應用程式搭配的圖示選項未必能兼具可見性（visibility）、識認性（legibility）及可讀性（readability），造成不易辨識，誤認機率高，錯誤啟動程式可能讓使用者產生挫折。分析使用者在操作智慧型手機時發生人為疏失的狀況，可分
為認知的錯誤（mistake）及動作的失誤（error）。參考現有針對高齡使用者的研究，歸納出認知錯誤主要來自於使用者對介面圖示選項不熟悉、看不見、看不懂、難以理解等原因。為改善選項圖示選項的識認性，本研究利用介面設計中演示輔助（performance aids）的概念，以模態對話框（modal dialog）形式，發展「演示輔助對話框」之設計。於使用者點擊圖示選項後、應用程式啟動前的操作流程中間加入演示輔助對話框（performance aids dialog）；對話框中除了提供較大尺度的圖示選項與名稱文字，並輔以簡短的功能說明，以達到提示功能的效果。本研究分兩階段發展介面原型，第一階段原型
延請五位專家透過啟發式評估（heuristic evaluation）檢驗介面使用性，並提出建議。依據專家建議修改後，將介面改良為第二階段原型，並以此對青壯年組（20-55歲）及高齡組（55歲以上）使用者分別進行五次不同任務之測試，記錄其績效曲線、操作停滯時間與錯誤率，並得以分析原型介面之學習性（learnability）。受測者並接受半結構式訪談，以驗證前項分析的結果，並蒐集面對演示輔助對話框之主觀感受。研究結論顯示：(1) 演示輔助對話框確具改善選項圖示選項（application icon）之識認性及協助使用者理解該應用程式內容之績效。此外，演示輔助對話框在使用者操作的流程中，提供再次
確認的機制。不論使用者是因圖示選項識認性不佳而發生錯誤（Mistake）點選，或是因失誤（Slip）而點擊圖示選項，都能透過演示輔助對話框有效避免錯誤或失誤啟動應用程式的困擾。(2) 本研究揭示的演示輔助對話框具備良好的學習性（learnability）；青壯年組（20-55歲）及高齡組（55歲以上）使用者在第二次任務中面對演示輔助對話框的停滯時間呈現明顯下降，並維持相似水平至第五次任務。其中高齡組及每日操作時間在一小時以內的受測群組，呈現極佳的學習績效；其首次面對演示輔助對話框的停滯時間明顯長於其他受測群組，但隨後之表現就與其他群組趨於一致。(3) 本研究揭示之演示輔助對話框具備提升使用
性十項原則（Nielsen, 1993）中之七項指標，包括狀態可視性、有控制的自由、一致與標準、提供使用者再次確認、以辨識取代、預防錯誤、提供協助與說明文件等。
N型氮化鎵歐姆接觸再生長技術開發及新型基板上氮化鎵場效應電晶體之研究
為了解決lg 55吋推薦 的問題，作者彭奕豪 這樣論述：
指導教授推薦書………………………………………………………口試委員會審定書……………………………………………………誌謝 iii摘要 ivAbstract v目錄 vi圖目錄 ix表目錄 xii第一章 緒論 1§1.1 前言 1§1.2氮化鎵應用與材料特性 2§1.3 氮化鎵高電子遷移率電晶體 4§1.4論文架構 6第二章 利用N型氮化鎵再生長技術形成低歐姆接觸電阻氮化鎵電晶體之研究 7§2.1簡介 7§2.2 歐姆接觸的製程介紹 72.2.1 高溫快速熱退火 72.2.2 再生長N型GaN (Regowt
h N+ GaN) 8§2.3 AlGaN/GaN電晶體製作 10§2.4 歐姆金屬表面分析 18§2.5 量測結果與分析 202.5.1 元件直流特性 202.5.2 高頻分析 232.5.3低頻雜訊分析 27§2.6 結語 30第三章 氮化鋁鎵/氮化鎵電晶體成長在陶瓷基板上之研究與探討 31§3.1 簡介 31§3.2 氮化鋁鎵/氮化鎵磊晶片成長均勻性分析 323.2.1 磊晶總厚度分析 323.2.2 原子力顯微鏡表面分析 333.2.3 X射線繞射分析& BOW分析 34§3.3氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷
移率電晶體製作 35§3.4 實驗量測與分析(一) 433.4.1 直流量測分析 433.4.2高頻分析 463.4.3變溫直流量測 483.4.4紅外線熱影像檢測分析 493.4.5 元件短脈衝量測及分析 51§3.5 0.25 μm閘極線寬氮化鋁鎵/氮化鎵電晶體製作 54§3.6 實驗量測與分析(二) 623.6.1 元件直流分析 623.6.2 高頻分析&小訊號電路萃取 643.6.3 高頻功率參數量測 673.6.4 高頻雜訊參數量測 69§3.7 結語 70第四章 氮化鋁鎵/氮化鎵電晶體利用原生氮
化矽以及氮化鋁鎵後位障層技術之特性研究探討 71§4.1 簡介 71§4.2氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體製作 72§4.3霍爾量測分析 80§4.4 實驗結果與分析 824.4.1 元件直流分析 824.4.2高頻特性分析 884.4.3 元件崩潰電壓量測分析 904.4.4 C-V曲線量測分析 924.4.5低頻雜訊分析 95§4.5 結語 97第五章 結論 99參考文獻 101 圖目錄圖1-1 氮化鎵應用圖 3圖1-2 AlGaN/GaN結構極化示意圖 5圖1-3 AlGaN/GaN接面能帶圖[
2] 5圖2-1 再生長N型GaN的TEM剖面圖 9圖2-2 AlGaN/GaN HEMT磊晶結構 9圖2-3 (a) N+GaN再生長 (b)元件隔離(c)歐姆接觸(d)閘極金屬(e)金屬連接線(f)Si3N4鈍化層 17圖2-4 透過(a)高溫退火 (b)Regrowth無退火 之金屬OM影像 19圖2-5 透過(a)高溫退火 (b)Regrowth無退火 之AFM成像 19圖2-6 再生長N+ GaN &傳統熱退火之IDS-VGS與元件轉導特性 20圖2-7 再生長N+ GaN &傳統熱退火之IDS-VDS曲線 21圖2-8 再生長N+ G
aN &傳統熱退火之IGS-VGS & log[IDS-VGS] 23圖2-9 雙埠網路S參數的示意圖 24圖2-10再生長N+ GaN &傳統熱退火之元件高頻特性 26圖2-11 再生長N型GaN &傳統熱退火之元件低頻雜訊量測結果 28圖2-12 再生長N+ GaN &傳統熱退火之元件SID—(VGS-VTH) 29圖3-1 AlGaN/GaN HEMT磊晶結構 32圖3-2 磊晶總厚度分析 33圖3-3 磊晶片各區域AFM分析 34圖3-4 XRD(002、102)相位分析 34圖3-5 磊晶片之BOW分析 35圖3-6 (a)
試片清洗(b)元件隔離(c)歐姆接觸(d)閘極金屬(e)金屬連接線(f)Si3N4鈍化層 42圖3-7 AlGaN/GaN電晶體IDS-VGS與元件轉導特性 43圖3-8 AlGaN/GaN電晶體IDS-VDS曲線圖 44圖3-9 AlGaN/GaN電晶體之IGS-VGS與IDS-VGS特性曲線 45圖3-10 AlGaN/GaN電晶體高頻特性 47圖3-11 AlGaN/GaN電晶體Cgs對頻率之萃取 47圖3-12 AlGaN/GaN電晶體Cgd對頻率之萃取 48圖3-13 AlGaN/GaN電晶體不同環境溫度下的IDS-VDS曲線圖 49圖
3-14 元件操作時之溫度變化圖 50圖3-15 (a)GaN on QST (b)GaN on Si熱影像 51圖3-16 GaN常見的缺陷位置示意圖 52圖3-17 元件操作下缺陷捕捉示意圖 53圖3-18 AlGaN/GaN不同靜態偏壓下之動態電阻 53圖3-19 (a)試片清洗(b)元件隔離(c)歐姆接觸(d)T-shaped閘極金屬(e) Si3N4鈍化層(f)金屬連接線 61圖3-20 AlGaN/GaN電晶體SEM影像 62圖3-21 0.25 μm閘極線寬電晶體之IDS-VGS與轉導特性 63圖3-22 0.25 μm閘極線寬電晶
體之IDS-VDS特性 63圖3-23 0.25 μm閘極線寬之電晶體IGS-VGS與IDS-VDS曲線 64圖3-24 0.25 μm閘極線寬之電晶體高頻特性 65圖3-25 元件小訊號等效電路圖 66圖3-26 (a)S11量測與模擬結果 (b)S22量測與模擬結果 66圖3-27 (a)VDS=10V(b) VDS=20V下，元件高頻功率參數量測結果 68圖3-28元件高頻雜訊之最小雜訊指數量測結果 69圖4-1 (a)GaN cap (b)In-situ SiN cap層磊晶結構 72圖4-2優化後有AlGaN後位障層之磊晶結構 7
2圖4-3 (a)試片清洗(b)元件隔離(c)歐姆接觸(d)閘極金屬(e)金屬連接線(f)Si3N4鈍化層 79圖4-4 霍爾效應原理示意圖 80圖4-5 變溫霍爾量測 82圖4-6 不同cap 層之元件IDS-VGS及轉導特性 83圖4-7 不同cap 層之元件IDS-VDS電流曲線 84圖4-8 不同cap 層之元件IDS-VGS & IGS-VGS曲線 84圖4-9 有無back barrier之元件IDS-VGS及轉導特性 86圖4-10 有無back barrier之元件IDS-VDS電流曲線 87圖4-11有無back barrier
之元件IDS-VGS & IGS-VGS曲線 87圖4-12 不同cap層的元件高頻特性 89圖4-13 有無後位障層的元件高頻特性 89圖4-14 GaN cap HEMT與SiN cap HEMT Off-state之崩潰特性 91圖4-15 GaN cap HEMT與SiN cap HEMT反向的閘極崩潰電壓 92圖4-16 GaN cap HEMT與SiN cap HEMT CV特性 93圖4-17 GaN cap HEMT電容遲滯曲線 94圖4-18 In-situ SiN cap HEMT電容遲滯曲線 94圖4-19 AlGaN/Ga
N HEMT元件低頻量測結果 95圖4-20 AlGaN/GaN HEMT在25Hz時之SID-(VGS-VTH)& SID-IDS 96圖4-21 AlGaN/GaN HEMT 25 Hz之霍格常數 97表目錄表1-1 半導體材料特性比較 2表2-1 形成不同歐姆接觸下之元件直流基本特性比較表 23表3-1磊晶片之Thickness、AFM、 XRD、BOW 分析統整 35表3-2 GaN on QST & GaN on Si直流基本特性比較表 46表3-3內部純質元件外部寄生元件參數 67表4-1 常溫下之TLM量測、霍爾量測的比較結果
81表4-2 LG= 1 μm閘極元件高頻特性比較 90