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國立雲林科技大學 電子工程系 陳世志所指導 徐福宗的 以磁控濺鍍與Cap-PDA法對高介電二氧化鉿晶相之研究 （2015），提出megabit中文關鍵因素是什麼，來自於射頻磁控濺鍍、二氧化鉿、晶相轉變、氮化鈦閘極電極、鈦覆蓋層。

而第二篇論文國立交通大學 資訊學院資訊學程 袁賢銘所指導 林亮君的 改善USB大量儲存裝置於視窗作業系統上的資料傳輸速率 （2015），提出因為有 通用序列匯流排、視窗驅動模組、資料預先拮取的重點而找出了 megabit中文的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了megabit中文，大家也想知道這些：

以磁控濺鍍與Cap-PDA法對高介電二氧化鉿晶相之研究

為了解決megabit中文的問題，作者徐福宗 這樣論述：

本研究主要探討高介電值二氧化鉿閘極堆疊製作之晶相、漏電流和缺陷及氮化鈦電極之研究，利用磁控濺鍍系統沉積二氧化鉿薄膜當作介電層在p型矽基板[5~10Ω (100)]上，並在二氧化鉿薄膜上沉積一層Ti-capping layer以及優化氮化鈦閘極電極。沉積完成後進行不同溫度和時間的Ti-cap PDA處理，促使二氧化鉿薄膜晶相轉變。本實驗主要研究經過Ti-cap PDA處理後對二氧化鉿薄膜的晶相轉變和界面情況與漏電流的影響，並探討閘極氧化層的物理、電性特、缺陷、漏電流機制。 本實驗最佳值以6.7nm 740℃-10s Ti-cap PDA，其介電常數可達k=39.4，EOT縮小至0.66n

m，漏電流密度為3.44x10-3 (A/cm2)，界面缺陷密度Dit約為1.194x1012 (#/cm2．eV)，以及HfO2厚度為6.7nm 740℃-15sec Ti-cap PDA，介電常數(k)=38.6、EOT=0.67nm、漏電流為1.49x10-3(A/cm)、Dit=3.161x1011(#/cm-2．eV-1)。

改善USB大量儲存裝置於視窗作業系統上的資料傳輸速率

為了解決megabit中文的問題，作者林亮君 這樣論述：

理論上，USB2.0高速傳輸埠頻寬達480Mbps（Megabit per second），若USB 匯流排上只傳輸資料，最高速度接近60MB/s（Megabyte per second），但 是在視窗系統下實際應用在讀取USB外接硬碟時，卻只能到達26~32MB/s。先不考慮硬碟啟動磁頭去讀寫的物理性延遲，造成效率不如預期的其中一個原因，可能是整體傳輸花費了太多溝通的時間在主機與裝置間的交握（Handshake）過程。常⾒的USB 外接儲存裝置所遵循的協議是Universal Serial Bus Mass Storage Bulk-Only transport 協議[1]，透過該協議可讓

多種類型的儲存媒體透過USB介面作大量的資料傳輸，它提供了便利而可靠的資料交握，但同時也拖累了傳輸速度。為了加快資料傳輸的速度，本文根據Prefetch 和 Cache 原理，提出了Prefetch Read 與Packing Write 等方法。該方法是由掛載在USB 外接儲存裝置的過濾型驅動程式來實現。藉由過濾型驅動程式改變原本的USB封包傳輸流程，在視窗作業系統內獲得最佳的傳輸速度。

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