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onto函數的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦周易寫的 研究所講重點【線性代數決戰60天】 和江大成、林俊昱、陳常侃的 線性代數(第二版)都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自大碩教育 和全華圖書所出版 。
國立陽明交通大學 電子研究所 林炯源所指導 陳竑任的 以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硫處理之二硫化鎢電晶體 （2021），提出onto函數關鍵因素是什麼，來自於二硫化鎢電晶體、第一原理、量子傳輸、接觸電阻。
而第二篇論文國立陽明交通大學 電子研究所 林炯源、簡昭欣所指導 歐仲鎧的 具新穎氮硫化鎢界面結構的p型二硫化鎢電晶體: 以第一原理量子傳輸理論進行模擬計算 （2021），提出因為有 過渡金屬二硫屬化物、二維材料、密度泛函理論、二硫化鎢、非平衡格林函數、p型接觸、p型電晶體的重點而找出了 onto函數的解答。
研究所講重點【線性代數決戰60天】
為了解決onto函數 的問題，作者周易 這樣論述：
本書適合電機、資訊、統計、數學系研究所入學考試與一般自修用。線性代數在理工類所與統計課程中被廣泛應用，很多轉業問題，只要稍作整理，即可以線性代數方法解之，因此線性代數是從事專業學習和科學研究的重要基礎。 線性代數理論類似蜘蛛網，每個單元之間彼此都有關聯，課堂上之學習就像迷宮般，入口進出口出，要順利出迷宮，需知道每個單元內容，但是有時仍會不知道不同單元間的聯結。在迷宮中，很多條路彼此間都有關聯，都可以達到出口，連結各通路後，即可自由自在遨遊於迷宮中，本書嘗試同時以不同方法，解釋線性代數的各種問題，讓線性代數觀念達到極大化。 很多學校研究所入學考試，考了很多是非
題，而是非題往往考驗的是線代觀念大熔爐，同一個問題，有很多種不同的解釋，但都可以得到相同結論，又或者有些時候少考慮一個反例，即造成錯誤結果。本書採用很多是非題，將線性代數不同單元理論，透過是非題表達出來並作聯結，提升同學判斷能力，相信必能幫助同學在考場上獲得高分。
以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硫處理之二硫化鎢電晶體
為了解決onto函數 的問題，作者陳竑任 這樣論述：
矽基互補式金氧半場效電晶體的持續微縮遭遇短通道效應的限制，此限制從過去到未來的發展導致了一連串的問題。包含汲極引發位障降低(Drain-induced Barrier Lowering, DIBL)、閘極引發漏電(Gate-induced Drain Leakage, GIDL)、擊穿(Punch-Through)、載子遷移率下降等等。在各種可能使電晶體微縮至1nm節點以下的新穎通道材料中，具原子尺度的二維材料不僅直觀上可克服短通道效應，使電晶體更進一步微縮，同時仍保持高載子遷移率。單原子層WS2為一種最常被研究的過渡金屬二硫族化合物(TMD)材料，實驗上已被作為電晶體的通道材料來使用，並展
示出高電流開關比、高載子遷移率及高熱穩定性。發展WS2電晶體最迫切的挑戰在於降低接觸電阻，在本論文中，我們施以第一原理量子傳輸計算來研究Metal/WS2與Metal/WSX/WS2側接觸，試圖以硫族元素之取代來降低蕭特基位障，因此減少接觸電阻。在此該取代使用了五族或七族元素取代單層WS2一側部分區域之硫族元素，產生超材料WSX (X= P, As, F, Cl, Br)的部分。另外，我們進一步比較該取代在界面金屬化與界面鍵結以及其在蕭特基位障的效果。如此之WSX緩衝接觸展示了p型Pt/WSP/WS2側接觸和n型Ti/WSCl/WS2側接觸的接觸電阻分別低至122.4Ω∙μm與97.9Ω∙μm
。此外，我們也利用第一原理分子動力學觀測到室溫下穩定的單層WSX。
線性代數(第二版)
為了解決onto函數 的問題，作者江大成、林俊昱、陳常侃 這樣論述：
本書適用於矩陣導向型課程，根據我們的經驗，此類課程能更有效的增進對線性代數觀念的理解並滿足各學科學生之所需。課程一開始將先探討矩陣、向量、及線性方程組，並逐漸引入更複雜的觀念及原則如線性獨立、子空間以及基底等。正如所述，本書於介紹抽象的向量空間之前將會先發展所有在Rn下的線性代數核心內容。這種做法提供學生更多機會在面對抽象空間概念之前，先在熟悉的歐式幾何平面(Euclideanplane)和三維空間下將觀念視覺化。 我們的方法是從矩陣的秩(rank)出發。此概念會貫穿書中其它所有的模型。例如，矩陣的秩一開始是被用來檢測線性方程組之解是否是存在且唯一的﹔之後，其將被用來測試集合是否彼
此線性獨立或為Rn空間的產生集合(generatingsets)。而接下來在第二章，則被用來決定線性轉換為一對一映射或蓋射(onto)。
具新穎氮硫化鎢界面結構的p型二硫化鎢電晶體: 以第一原理量子傳輸理論進行模擬計算
為了解決onto函數 的問題，作者歐仲鎧 這樣論述：
實驗室所製作的過渡金屬二硫族化合物(含一定濃度缺陷)二維電晶體，由於費米能釘札導致其p型接觸非常稀少；另一方面，電腦計算模擬所對應的上述理想結構(二維材料無缺陷)則可在高功函數金屬顯出為p型接觸，但仍未達到足夠低的電洞蕭特基位障。因此本文提出一種金屬性的超材料硫氮化鎢作為傳統金屬與半導體通道之間的緩衝層。其結構的形成可揣摩是由簡單的metal/WS2側接觸做為出發，我將鄰近介面處一定面積的上排硫原子置換為氮。以第一原理及量子傳輸理論計算電子結構與傳輸電流。我發現在金屬與二硫化鎢之間僅需0.6奈米長的硫氮化鎢緩衝層，便可有效降低通道的電洞蕭特基位障：在以鉑為金屬電極的情形中，硫氮化鎢可使蕭特基
型的Pt/WS2側接觸轉變為歐姆特性，達成以單一二維材料實現互補式金屬氧化物半導體的目標。除了鉑電極，即便我採用低功函數的金屬鋁，在Al/WSN/WS2的結構，計算而得的蕭特基位障仍低至0.12 eV。上述鉑與鋁電極的計算結果表明，氮硫化鎢緩衝層顯著提升了選擇電極金屬的靈活性，令選擇不再受限於高功函數的貴重金屬：如金、鉑和鈀。我亦更進一步量化計算Pt/WSN/WS2在不同閘極電壓下的伏安特性，得出該結構有高達10^8的開關電流比和在汲極電壓50毫伏下231 µA/µm的導通電流(接觸電阻 ≈ 63.8Ω∙μm)。同時為驗證實驗製程時硫氮化鎢的穩定性，我們採用第一原理分子動力學在室溫下分別模擬氮
吸附、單顆氮取代硫和單層氮硫化鎢，發覺皆為穩定結構。