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sin角度換算的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦中村寬治寫的 飛機力學超入門：讓飛機飛上天的航空基礎工程學【圖解版】 可以從中找到所需的評價。
大同大學 光電工程研究所 楊祝壽所指導 黃士榮的 藉由電漿輔助式分子束磊晶成長以氧化鋅為基底之多種元素摻雜透明導電膜的研究與開發 （2014），提出sin角度換算關鍵因素是什麼，來自於氧化錫、氧化銅鋅錫、透明導電膜.分子束磊晶、氧化銦鎵鋅、氧化鋅。
而第二篇論文中原大學 生物醫學工程研究所 胡威志所指導 戴揚哲的 以FPGA實現即時生理訊號處理晶片-以心率變異為一例 （2013），提出因為有 生理訊號處理、快速傅立葉轉換(FFT)、心率變異度(HRV)、SoC的重點而找出了 sin角度換算的解答。
飛機力學超入門：讓飛機飛上天的航空基礎工程學【圖解版】
為了解決sin角度換算 的問題，作者中村寬治 這樣論述：
讓飛機飛上天的航空基礎工程學 \飛行原理完全解說/ 飛機引擎有怎樣的構造？ 為什麼機翼和機身有一定的角度？ 噴射客機怎麼測量速度？ 為什麼要用馬赫表示飛機的速度？ 噴射客機要怎麼煞車？ 如果說航空工程是研究如何製造飛機的應用科學， 那麼航空力學就是其中最基礎的學問。 因為從飛機起飛、爬升、迴旋、降落， 每個俯仰與轉彎的角度， 都需要靠航空力學精密計算。 本書將從起飛到降落， 為你解說飛行過程中一定會用到的基礎航空力學。 ◎ 認識航空力學 ◎ 空氣力學 ◎ 升力與阻力 ◎ 飛行力學 ◎ 飛機與引擎 ◎ 飛
行所需的性能 本書特色 1、【基礎入門】飛機如何飛上天？從基礎的航空力學帶你入門。 2、【圖解說明】對開版面，一頁文字搭配一頁彩色插圖解說，明瞭好懂。 3、【實際應用】本書使用的數學公式來自實際飛機飛行過程中會用到的數值，不抽象難懂。
藉由電漿輔助式分子束磊晶成長以氧化鋅為基底之多種元素摻雜透明導電膜的研究與開發
為了解決sin角度換算 的問題，作者黃士榮 這樣論述：
本篇論文主要研究開發，氧化銦鎵鋅、氧化鋅錫、以及氧化銅鋅錫等化合物材料，這些被常用於透明導電膜氧化物半導體的研究與開發，藉由分子束磊晶的方式來成長多元氧化物的半導體薄膜。在氧化銦鎵鋅的研究當中，我們藉由調整鎵的摻雜流量，並且固定其他參數，來了解研究氧化銦鎵鋅薄膜半導體的基本物理、光學、以及電學特性；藉由X光繞射量測、能量X光色散質譜儀、反射光譜、光激螢光譜、掃描式電子顯微鏡、X光光電子能譜儀及霍爾量測等技術，探討磊晶層的結構與特性。隨著鎵的濃度高過於27.9%，發現了結構由結晶型態轉變成非晶型態的相轉變變化，這顯現出多餘的金屬殘留會導致薄膜自己形成載子通道或是缺陷態，使得樣品的結構品質變差；
在霍爾量測實驗中，當鎵的濃度到達27.9%時，我們得到了最高載子遷移率74.3 cm2/V-s的氧化銦鎵鋅薄膜；在鎵的濃度小於18%的情況下，平均穿透率皆達到80%；藉由調整四元化合物中元素之間的比例濃度，我們得到了隨著各種元素不同比例分布的三相圖，在元素比例銦：鎵：鋅：氧，接近於1：1：1：4的時候，薄膜結構呈現出非晶的型態，節由1100度的高溫熱退火，最後得到了單晶的氧化銦鎵鋅薄膜。 在透明導電膜氧化鋅錫的研究當中，藉由分子束磊晶的方式成長在c軸單向的藍寶石基板上，我們改變裝在克努森容器(Knudsen cell)中的錫材料溫度，藉以改變錫的流量，來觀察研究氧化鋅錫薄膜的物理特性變化，很
特別的是，錫的存在價數有二價跟四價，在本次實驗當中，我們將藉由改變不同錫濃度的變化，在氧不足的環境當中，探討錫的價數與濃度之間的相對關係；根據X光繞射量測的結果，我們觀察到兩次的相轉變變化，當金屬錫的比例低於28.9%的時候，氧化鋅錫薄膜呈現出以氧化鋅為主的纖鋅礦結構，另外，氧化鋅錫的X光繞射訊號指向位置(002)面，因為錫的二價離子取代鋅的二價離子，導致訊號位置往小角度位移，c軸的晶格常數與錫的濃度關係，滿足維加德得定律(Vegard’s law)，這個區塊我把它統稱為氧化鋅以氧化錫為主要摻雜基底的區域，進一步提升錫的濃度，結晶型態的結構轉變為非晶型態，因為來自不同化合物，像是氧化鋅、氧化錫
、二氧化錫等，的混合摻雜所導致，最後當錫的濃度到達40%的時候，過多的錫金屬摻雜使得X光繞射產生二氧化錫的結晶訊號；環境的同化效果，使得少數載子的行為與多數載子相似，這就可以解釋說明為什麼錫在低濃度的情況下會以二價的方式存在，藉由光學的特性量測分析，氧化鋅錫的半導體能隙隨著錫濃度的上升先增加後減少；從原子力顯微鏡中觀察到，非常平滑的樣品表面原因是來自於錫的表面催化效果；平均穿透率在可見光範圍皆達到85%以上；藉由霍爾實驗在錫的濃度為37.5%的情況下，得到最低的電阻率4.53 × 10-3 ohm-cm以及最高的載子遷移率23.3 cm2/V-s。 最後一部分要探討藉由分子束磊晶的方式成長P
型氧化物半導體薄膜氧化銅鋅錫的特性研究與分析，在X光繞射量測的分析中，觀察到氧化銅鋅錫的訊號指向位置在34.49°，比對樣品的比例分析分別為銅11.36%，鋅83.79%，錫4.85%，結構由結晶型態轉變為非晶型態發生在銅的溫度1100度的時候，換算Ｘ光能量色散譜儀的分析結果，濃度為15.07%，此時銅的濃度為最高，從掃描式電子顯微鏡得到的影像分析，與Ｘ光繞射結果交叉比對，驗證了結構相變化隨著銅濃度的上升由氧化鋅與氧化銅鋅錫的共存相到非晶的變化；在光激螢光的實驗中，得到了很寬大的發光訊號，我們認為這是由氧缺陷主宰的缺陷放光；在室溫的穿透實驗中，隨著銅濃度的上升，穿透率從90%下降到20%，說明
了在高銅濃度的情況下，這並非是一個好的透明膜材料；然而最後，我們成功的成長出Ｐ型的氧化銅鋅錫半導體薄膜，載子濃度為1.6 × 1018。
以FPGA實現即時生理訊號處理晶片-以心率變異為一例
為了解決sin角度換算 的問題，作者戴揚哲 這樣論述：
生理訊號可提供豐富的生理資訊有利於醫療專業人員做診斷病情，但這些生理訊號都需要經過多層的處裡過後才可顯其特徵性為ㄧ般人了解。生理訊號處理不僅可在時域上分析，還可以頻域的角度來探討生理訊號的特徵，如心電圖之心率變異度頻譜可提供自主神經調控機制的資訊、腦電圖之頻譜用於輔助診斷腦部相關疾病等。本研究提出了一套SoC系統可以用於完整分析心電訊號，其中訊號處理著重於頻譜分析的技術。訊號處理流程先將心電圖做微分取絕對值、moving average、R波偵測、重新取樣，以此獲得等距RR-Interval時間序列，接著輸入至FFT演算法把RR-Interval時間序列從時域轉換為頻域。系統開發內容重點在於
1024點快速傅立葉轉換演算法(FFT)，採用Radix-2 DIF為基礎架構，每層運算中包含了資料緩衝區、蝶型運算、旋轉因子、記憶體位置控制以及正確控制輸出數據時脈等。即時處理結果藉由USB傳輸至Borland C++ Builder視窗化軟體使用者介面顯示，以此觀察心率變異度的頻譜分析。實驗結果與討論中，設計了三種方法來進行驗證，(1)分別給予1Hz、10Hz、50Hz、125Hz的sin波進入自行建構的FFT演算法進行轉換，以1Hz為例來說，理論上頻譜圖應於1Hz的地方會出現高峰，觀察實際結果發現高峰位置剛好落在1Hz的位置，其餘sin波結果皆是如此，初步證明FFT演算法的正確性；(2)
設計四種不同心跳頻率組合，作為心電訊號處理的驗證，事實證明實際結果全在理論計算的頻率範圍之內，說明本系統可完整處理生理訊號；(3)以兩種不同狀態實際量測十位受測者，即時觀察出在身心作較劇烈運動環境下低頻較高，代表交感神經作用，而在休息環境下高頻較高，代表副交感神經作用，經由心率變異度時頻域分析圖直接對自主神經的變化給予量化性的描述。由上述各項驗證得知，本研究的即時生理訊號處理晶片不僅能完整的處理生理訊號達到即時量測即時分析的效果，而且還具有相當好的準確性。未來的發展上，希望能夠把本研究的FFT演算法應用在其他的生理訊號上，如腦波、血壓或肌電訊號，讓整個生理訊號處理更加完整。