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u%半導體的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦艾琳．黛．麥庫希克寫的 音波療癒：人體能量場調諧法 和OPPO研究院,沈嘉,杜忠達,張治,楊寧,唐海的 既會用也了解：最新一代5G核心技術加強版都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自楓樹林出版社 和深智數位所出版 。
國立中央大學 機械工程學系 李天錫所指導 范哲銘的 多晶矽阻擋層阻擋離子佈植雜質之研究 （2012），提出u%半導體關鍵因素是什麼，來自於多晶矽、阻擋。
而第二篇論文國立中央大學 機械工程研究所 李天錫所指導 黃敬涵的 奈米尺度半導體材料薄膜轉移研究 （2009），提出因為有 電漿擴散、離子佈植、薄膜轉移、晶圓鍵合、智切法的重點而找出了 u%半導體的解答。
音波療癒：人體能量場調諧法
為了解決u%半導體 的問題，作者艾琳．黛．麥庫希克 這樣論述：
～以音波療癒情緒、記憶、疾病和創傷～ ★音療領域及能量醫學長暢鉅作 ★美國亞馬遜4.7星，2000多則至高好評，暢銷改訂第二版！ 現代科學終於認識到身體藍圖是能量構成的。 而聲音的能量振動，可用於改變身體藍圖、提升身心健康平衡。 這個發現對藝術及科學而言是一次開創性的突破， 更重要的是，它提供了新的療癒途徑。 人類的「生物場」會紀錄從妊娠期開始迄今的痛苦、壓力和創傷。 作者艾琳．黛．麥庫希克發現透過音叉，可聽出個案的生物場所受的干擾，且找出其位置。 這些干擾通常與個案一生所經歷的情感和身體創傷有關； 而將音叉伸入生物場中的這些
區域，不但會改正聽到的扭曲振動聲， 而且還可以——有時候是立即——緩解個案的疼痛、焦慮、失眠、偏頭痛、抑鬱、纖維肌痛、消化系統疾病和多種其他不適。 經過科學及生物驗證，近二十年後的現在， 麥庫希克完整開發出「聲音平衡法」的音波治療法， 並製作生物場地圖，精確揭諸累積情緒、記憶、疾病和創傷的位置。 《音波療癒：人體能量場調諧法》用多幅生物場解剖圖對聲音平衡治療法做了完整解說。 解釋以音叉尋找並清除生物場中疼痛和創傷的方法， 也揭示了傳統脈輪的原理及位置，與生物場直接對應的情形。 麥庫希克檢視科學上對於聲音和能量的研究，藉以探索聲音平衡法背後的科學， 並且
解釋創傷經驗在生物場中產生「病態振盪」， 導致身體秩序、結構、功能崩潰的過程， 對於思想、記憶和創傷提出了的革命性的觀點， 為能量工作者、按摩治療師、聲音治療師以及想要克服慢性疾病， 釋放過去創傷的人提供全新的治療途徑。 本書特色 ◎檢視聲音和能量的科學研究，藉以探索聲音平衡法作用的原理。 ◎透過音叉，找尋生物場所受的干擾，揭諸累積情緒、記憶、疾病和創傷的位置。 ◎非侵入性溫和緩解疼痛、焦慮、失眠、偏頭痛等身心問題，開創全新治療途徑。 專業推薦 ◎缽樂多聲波能量療癒工作室／劉昱承(Kevin) ◎知己琴床聲動所／范晴雯
多晶矽阻擋層阻擋離子佈植雜質之研究
為了解決u%半導體 的問題，作者范哲銘 這樣論述：
在半導體產業中，SOI的發展解決了傳統矽材的問題，提昇了固態元件的效率和降低能量損耗，而通常是利用智切法來製作SOI材料。在智切法的步驟中，我們將離子佈植的步驟，改用Ion Shower設備來替代一般的Ion Beam，發現了共同佈植而造成雜質一起植入矽晶圓的問題。 本研究目的在於，利用Ion Shower設備來進行氫離子佈植。實驗過程中因為此設備無質譜儀，所以佈植時將不同的元素共同佈植進入了矽材裡。為了避免共同佈植，我們在晶圓上沉積了一層多晶矽層，利用此結構來阻擋氫以外的元素進入矽層裡。之後再以CMP的方式把多晶矽層移除。
既會用也了解：最新一代5G核心技術加強版
為了解決u%半導體 的問題，作者OPPO研究院,沈嘉,杜忠達,張治,楊寧,唐海 這樣論述：
★由 40 多位全球領先手機製造商 3GPP 標準代表親筆撰寫 ★5G✕萬物互聯✕智慧載體✕全球高速覆蓋✕元宇宙✕無線取代有線 台灣在邁向 IT 科技主導國家政策的今日， 通訊將會是和半導體相同重要的技術， 在真正進入全球高速覆蓋的將來， 5G 與 5G 增強技術等終將成為你最紮實的硬知識基礎。 今日 5G 選擇的技術選項， 是在特定的時間、針對特定的業務需求的成熟技術， 當未來業務需求改變、裝置能力提升， 以這些技術為基礎，在設計下一代系統（如 6G）時， 有機會構思出更好的設計。 ◎想要透過資深工程師視角第一線深入推動大部分 5G
技術設計的形成嗎？ ——如果你想從第一線大廠的工程師中一窺 5G 的奧祕， 知悉諸多現行 5G 技術方案、各個方向的技術遴選、特性取捨、系統設計的過程， 或是想了解 5G 技術 3GPP - R15／R16／甚至是 R17 最關鍵技術未來指引， 本書將會是你最好的選擇！ 你將在本書學會… ～5G 技術 R15 至 R16 最關鍵技術與標準化選項最完整說明～ ● R15 標準的關鍵技術：核心針對 eMBB 應用場景，並為物聯網產業提供了可擴充的技術基礎 ● R16 版本增強技術特性 - URLLC - NR V2X - 非授權頻譜通訊 - 終端節
能……等 ● 5G 標準化選項 - 性能因素 - 裝置實現的複雜度 - 訊號設計的簡潔性 - 對現有標準的影響程度……等 ● 簡單介紹 R17 版本中 5G 將要進一步增強的方向
奈米尺度半導體材料薄膜轉移研究
為了解決u%半導體 的問題，作者黃敬涵 這樣論述：
本研究為製作單晶矽層具有奈米等級的SOI材料，利用氫離子聚合為基礎的單晶矽層之薄膜轉移法已被普遍應用，但矽單晶薄膜於轉移後，會轉移層上形成一層損傷層，通常需要再進一步化學機械研磨(CMP)將此粉碎層移除。本研究目的主要利用蝕刻的方式，藉由特定蝕刻液，於特定溫度下，將以轉移後之SOI薄膜表層的粉碎層去除，同時達到表面平滑的效果，避免掉CMP程序。研究中以犧牲遮蔽層的沉積有效的改善氫離子佈植時通道效應的發生，減緩氫離子植入時穿透進矽基板的深度差，剝離後之SOI薄膜的表面粗糙度獲得改善。其後藉由將粉碎層移除，使得表面粗糙度更進一步地降低，完成矽單晶轉移薄膜層的表面平滑化。而由於犧牲遮蔽層的應用，解
決因氫離子的物理極限導致100奈米以下薄膜厚度的控制的問題，研究中發展4”、8”以上之超薄SOI。研究另一主題則利用熱力微波方式有效的降低薄膜轉移溫度及時間，將轉移溫度降至200 ℃以下，研究中發現使用热力微波可以增加氫離子動能，並且幫助克服能階障礙。本研究文末更進一步發展新一代薄膜轉移技術技術之先導研究，利用Si（B/Ge）結構為一捕捉氫離子層，而氫離子則改以常壓電漿進行低能量離子浸入，利用加熱過程中，氫離子會在矽晶圓進行擴散移動至Si（B/Ge）層，達到氫離子濃度聚集的效果，而由於氫離子在矽晶圓內150 ℃可以快速擴散並不會造成晶格的損傷，因此轉移後的薄膜保持良好的磊晶結構。擴散氫離子在特
定深度被Si（B/Ge）捕捉後，經電漿氫化過後的試片馬上以電漿活化晶圓鍵合技術與另一石英晶圓鍵合在一起，最終成功的在低於200 °C下將單晶矽薄膜轉移至石英上。