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國立屏東科技大學 農園生產系所 顏昌瑞所指導 蔡尚翰的 氯化鈉鹽分逆境對蓮霧幼苗生育及果實品質之研究 （2019），提出um mm換算關鍵因素是什麼，來自於蓮霧、氯化鈉、逆境、品種篩選、果實品質、花青素。

而第二篇論文國立中央大學 電機工程學系 邱煥凱所指導 黃禮賢的 互補式金氧半導體Ku頻段寬頻功率放大器與K頻段開關鍵控發射機暨X頻段氮化鎵瓦特級功率放大器之研製 （2018），提出因為有 功率放大器、發射機、瓦特級功率放大器的重點而找出了 um mm換算的解答。

最後網站2023 薄膜厚度量測網路速度 - camelka.online則補充：“薄膜”的厚度通常小于1 mm，因此，使用的单位是以微米。 ... 塑料膜的计量单位为：丝，比如8丝也就是80微米厚，塑料薄膜厚度单位一般是用丝和微米(um)来表示,l毫米=100 ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

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氯化鈉鹽分逆境對蓮霧幼苗生育及果實品質之研究

為了解決um mm換算的問題，作者蔡尚翰 這樣論述：

蓮霧為台灣重要經濟果樹，高屏為主要產區，而屏東沿海鄉鎮所生產的果實，色澤較紅、糖度高、品質佳。屏東沿海鄉鎮為地層下陷嚴重地區，也容易造成海水倒灌、海水入侵地下水層等問題；而氣候變遷帶來的降雨減少、溫度升高、海平面上升等問題，可能導致沿海果園土壤鹽化更加嚴重，進而威脅沿海地區之蓮霧產業。本研究希望先藉由調查沿海地區果園鹽害威脅現況，再進一步試驗 ‘南洋種’蓮霧幼苗所能耐受的鹽分濃度，以了解鹽如何威脅蓮霧之生長發育；第三部分則就現有已蒐集蓮霧品種之幼苗進行篩選，未來可做砧木利用或作為雜交種原。果實品質方面，以氯化鈉鹽水於開花前開始澆灌，觀察對蓮霧果實品質之影響，以供未來農民田間管理之參考。調查結

果顯示，有部分果園已低於海平面高度；東港地區果園之灌溉水電導度(EC)測值最高，水中也含有顯著較高的鈉離子，部分果園能測出較高的鎂離子及氯離子，推測地下水層已受到海水入侵。土壤分析結果顯示，東港及佳冬蓮霧園土壤之電導度值、氯、鈉及鎂離子含量也較枋寮及鹽埔試區為高，且葉片電解質滲漏率亦較其他試區果園高。若在沒有適當的淋洗情況下，東港及佳冬地區，可能持續累積鹽分，嚴重時將導致樹體遭受鹽害而影響果實生產。進一步欲了解蓮霧對氯化鈉濃度的耐受性，分別以30 mM、60 mM及90 mM氯化鈉對盆栽 ‘南洋種’蓮霧進行澆灌，結果顯示氯化鈉處理不僅減少葉片及枝梢中相對水分含量，也抑制樹體之生長。90 mM處

理者其葉片及根部中鈉及氯含量也顯著高於其他處理，葉片中鉀、鈣、鎂含量差異不顯著，但根部之含量則呈現減少的趨勢。90 mM 氯化鈉處理者，葉片及根部的離子滲漏率也顯著較高。因此90 mM之氯化鈉濃度可作為日後蓮霧耐鹽性臨界濃度之參考。觀察不同蓮霧品種於90 mM鹽分逆境下之生理反應，結果顯示鹽分處理後，以 ‘黑金剛’所抽的芽最多，但多為花芽，僅有 ‘越南白肉種’、 ‘泰國種’及‘南洋種’為純營養生長狀態，但‘南洋種’似乎對鹽分敏感，鹽分處理後的總芽體最少。但葉片離子滲漏率方面則以 ‘越南白肉種’最低，也有較高的葉綠素含量；光合速率方面，與對照組相比， ‘越南白肉種’經鹽分處理後之光合速率下降最少

，並維持較高的最大光量子產量(Fv/Fm)。將部分結果以鹽害指數進行換算，結果為 ‘南洋種’> ‘二十世紀’> ‘淡粉紅種’> ‘泰國種’= ‘黑金剛’> ‘印尼大果種’> ‘越南白肉種’。因此 ‘越南白肉種’可作為日後育種之親本或做為砧木利用。屏東縣沿海鄉鎮所生產的蓮霧因品質佳，富有「黑珍珠」之美名。本研究利用靠內陸的產區(低鹽分地區)，探討氯化鈉溶液對‘南洋種’蓮霧果實品質之影響。結果顯示，100 mM氯化鈉鹽水澆灌會提高土壤之電導度及土壤中的鈉含量，葉片中鈉及鉀含量也隨之上升，但果實中鉀、鈣、鎂、錳及鈉含量則沒隨氯化鈉處理濃度的提高而增加，果實之總可溶性固形物及可滴定酸含量亦無顯著影響。

但在果皮方面，果皮之苯丙胺酸裂解酶活性也會受到100 mM氯化鈉鹽水澆灌的影響而上升，同時也提高了果皮花青素的含量。因此鹽分雖有改善蓮霧果實品質之效果，但鹽分或海水在栽培上之利用應考量土壤質地、降雨、氣候環境等因素，以使土壤得以永續利用。

互補式金氧半導體Ku頻段寬頻功率放大器與K頻段開關鍵控發射機暨X頻段氮化鎵瓦特級功率放大器之研製

為了解決um mm換算的問題，作者黃禮賢 這樣論述：

本篇論文共分為五個章節，論文包含使用 tsmcTM 提供的 0.18-µm CMOS、90-nm CMOS 與 WINTM 提供的 0.25-µm GaN 製程，實現應用於 Ku 頻段之寬頻功率放大器、應用於 K 頻段無線感測網路之開關鍵控發射機以及應用於 X 頻段軍用海事雷達之瓦特級功率放大器。第二章提出採用磁耦合變壓器於 CMOS 功率放大器之研究，為解決 0.18-µm CMOS 製程在 Ku 至 Ka 頻段中所遇到之瓶頸，如基板損耗過大、轉導能力不佳與電晶體崩潰電壓過低等問題，利用達靈頓對結合疊接架構同時提升電流截止頻率 (fT) 與電晶體轉導能力 (gm)，使得低階製程能夠在毫米波

頻段下獲得足夠的增益及效率，同時也利用交錯耦合回授電容改善電路的增益及頻寬。量測結果顯示小訊號增益最高為 14 dB，飽和輸出功率為 22.2 dBm，1-dB 增益壓縮點輸出功率為 18.8 dBm，功率附加效率最高可達 15.8%，3-dB 頻寬為 6 GHz (11.3 GHz 至 17.3 GHz)，晶片面積為 0.7 (1.46×0.48) mm2。第三章提出應用於無線感測網路之 K 頻段開關鍵控發射機，晶片採用 90-nm CMOS製程。本章節的發射機架構是由 24 GHz 壓控振盪器產生訊號後，經變壓器將訊號耦合給予緩衝器放大，並且透過後端的調變器送出高資料傳輸率的調變訊號，最後

利用小型功率放大器將訊號放大並且推送出去，實現低消耗功率且高資料傳輸率之發射機電路。量測結果顯示其可調頻率範圍從 22.7 GHz 至 25.4 GHz，在位移頻率為 1 MHz 時，最低相位雜訊為 -101.6 dBc/Hz，最大輸出功率為 5.3 dBm，最低消耗功率為 23 mW，當數據速率為 2.4 Gbps，換算之能量效率為 9.6 pJ/bit，晶片面積為 0.36 (0.9×0.4) mm2。第四章提出應用於軍用海事雷達之 X 頻段瓦特級功率放大器，章節 4-3 電路採用兩級共源級架構，輸出端利用低損耗與超緊湊之四路合併結合器以達到十瓦的輸出功率。量測結果顯示功率增益最高為 20

.6 dB，飽和輸出功率為 41.73 dBm (14.9 W)，1-dB 增益壓縮點輸出功率為 30.9 dBm，功率附加效率最高可達 37%，功率面積比和功率密度分別為 4.29 W/mm2、4.66 W/mm，晶片面積為 3.49 (2.1×1.66) mm2。章節 4-4 電路採用兩級共源級架構，輸出端利用諧波調諧網路改善線性度、效率與相鄰通道洩漏比，同時也將兩路功率合併以增加輸出功率。結果顯示功率增益最高為 19.8 dB，飽和輸出功率為 38.44 dBm (7 W)，1-dB 增益壓縮點輸出功率為 36.9 dBm，功率附加效率最高可達 45.4%，功率面積比和功率密度分別為 2

.77 W/mm2、4.36 W/mm，晶片面積為 2.52 (2.63×0.96) mm2。

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